Bocoran ini berawal postingan Lei di Weibo yang memamerkan kemampuan Redmi Note 7, yaitu dukungan terhadap teknologi QuickCharge 4 yang daya maksimalnya mencapai 18W, ketimbang 10W yang ada di model sebelumnya.
Namun ketika ditanya soal dukungan charger 24W di Mi 9, Lei menyebut kalau ponsel flagship tersebut akan mempunyai teknologi charging yang lebih baik, demikian dikutip detikINET dari GSM Arena, Rabu (16/1/2019).
![]() |
Sebelumnya, memang berdasarkan bocoran spek yang ada, Mi 9 disebut mendukung charging cepat 32W. Dan hal ini sejalan dengan pernyataan Lei yang menyebut Mi 9 akan punya teknologi charging lebih baik dari 24W.
Charging 32W ini memang bukan angka yang tiba-tiba muncul, karena QuickCharge 5 yang dirilis 2018 lalu, memang mendukung daya sedemikian tinggi. Untuk menjaga suhu baterai agar tetap dingin dengan daya setinggi ini, QC5 akan menggunakan tiga charge controler, bukan dua seperti generasi sebelumnya.
Namun Snapdragon 855 secara resmi hanya mendukung QC4+, dan prosesor inilah yang diduga akan dipakai di Mi 9. Pasalnya, sempat muncul sebuah perangkat Xiaomi berkode Cepheus di laman GeekBench yang menggunakan Snapdragon 855.
Meski bisa saja melalui update firmware, Snapdragon 855 akan mendukung QC5. Namun hal ini belum bisa dibuktikan karena belum ada ponsel yang menggunakan prosesor ini kecuali ponsel referensi yang dibuat oleh Qualcomm. (asj/krs)