Garap Snapdragon 835, Samsung Digugat

Jakarta - Berkat teknologi pabrikasi yang dimilikinya, Samsung dipercaya untuk memproduksi Snapdragon 835. Namun hal itu juga membawanya ke sebuah gugatan hukum.

Tapi kali ini bukan datang dari Apple, melainkan sebuah institut yang juga berada di kampung halaman Samsung.

Korea Advanced Institute of Science and Technology (KAIST) menuduh Samsung telah melakukan pelanggaran paten terkait teknologi pabrikasi yang dimilikinya.

KAIST merasa Samsung telah menggunakan pabrikasi 10 nm FinFET yang kini dipakainya untuk memproduksi prosesor Snapdragon 835. Tapi memang tidak sepenuhnya, KAIST hanya mengklaim 'sebagiannya' saja.

Kenapa 'sebagian'? Samsung disebut pernah mengundang profesor Lee Jong-ho asal Seoul National University, yang merupakan salah satu partner developer KAIST.

Dalam undangannya Jong-ho menjelaskan ke engineer Samsung, bagaimana teknologi pabrikasi FinFET bekerja. Atas dasar itulah kemudian Samsung dianggap telah mencuri penemuan KAIST.

"Samsung mampu mengurangi waktu pengembangan dan biaya dengan menyalin penemuan Lee tanpa biaya. (Samsung) menyalin penemuan Lee tanpa hak atau kompensasi yang layak," ujar sumber yang dikutip detikINET dari Phone Arena, Senin (5/12/2016).

Sejauh ini teknologi pabrikasi FinFET temuan KAIST telah digunakan oleh Intel, Samsung, Qualcomm, dan Taiwan Semiconductor Manufacturing Company (TSMC). Namun baru Intel yang mengantungi lisensi dari KAIST.

Setelah Samsung, kabarnya KAIST juga akan menggugat Qualcomm dan TSMC. (yud/rou)