Pada kuartal keempat 2009, Intel siap memproduksi teknologi generasi masa depan dengan transistor yang lebih hemat energi, lebih padat dan dengan performa yang lebih prima.
"Kehebatan proses manufaktur dan produk yang dihasilkan membuat kami semakin jauh memimpin dalam hal kinerja komputasi dan daya tahan baterai
untuk laptop berbasis Intel, server dan desktop," klaim Mark Bohr, Senior Fellow Intel dan director of process architecture and integration, dalam keterangan tertulis yang dikutip detikINET, Kamis (11/12/2008).
SCROLL TO CONTINUE WITH CONTENT
Teknologi 32 nm ini menggunakan teknologi high-k + metal gate generasi kedua, 193 nm immersion lithography untuk membuat pola pada lapisan untuk jalur kritis dan peningkatan teknik kerapatan transistor. Fitur ini meningkatkan kinerja dan efisiensi energi dari prosesor Intel.
Detail teknisΒ tentang teknologi proses 32 nm lebih lengkap akan diulas pada "International Electron Devices Meeting" (IEDM) minggu depan di
San Francisco. Untuk terus memimpin dalam industri ini, Intel berencana untuk memperkenalkan prosesor dengan mikroarsitektur baru dengan proses manufaktur terdepan setiap 12 bulan.
Selain itu, juga direncanakan pada acara IEDM mendatang, Intel juga akan mendeskripsikan versi low power system on chip untuk Intel 45 nm, transistor berbasis materi semikonduktor hasil rekayasa yang meningkatkan kinerja transistor 45 nm dengan menggabungkan bahan tambahan pada node 45 nm dan lebih tinggi, serta menggabungkan rangkaian modulator silicon photonic. Intel juga akan berpartisipasi dalam short course mengenai teknologi CMOS 22 nm. (faw/ash)