Gugatan terhadap Samsung ini berasal dari universitas di negara asal Samsung, yaitu Korea Selatan, yang mendaftarkan gugatan tersebut di Amerika Serikat. Kemudian hakim federal pun memutuskan kalau Samsung memang melanggar paten milik universitas tersebut terkait teknologi FinFET.
Sejatinya, biaya yang harus dibayarkan ke Korea Advanced Institute of Science and Techonology adalah USD 400 juta. Namun karena hakim memutuskan Samsung dengan sengaja melakukan pelanggaran paten tersebut, ia punya opsi untuk melipatgandakan denda tersebut tiga kali lipat menjadi USD 1,2 miliar.
SCROLL TO CONTINUE WITH CONTENT
Sebagai informasi, FinFET adalah transistor yang dipakai di desain prosesor yang menggunakan elektroda berbentuk fin atau sirip. Teknologi ini memungkinkan terbukanya beberapa gerbang untuk sebuah transistor tunggal, yang bisa meningkatkan performa dan mengurangi konsumsi energi di chip yang lebih kecil.
Seperti yang tertera di dalam gugatan, Samsung awalnya tak mengaku menggunakan FinFET, namun kemudian mereka mengubah pikiran saat Intel melisensi penggunaan FinFET pada chip buatannya, demikian dikutip detikINET dari Phone Arena, Minggu (17/6/2018).
Namun Samsung tetap menolak mengaku melanggar paten milik universitas tersebut, dan menyebut mereka bekerja sama dengan universitas untuk mengembangkan FinFET. Perusahaan Raksasa asal Korea Selatan itu mempercayai kalau paten milik universitas itu tak valid dan mereka akan naik banding. (asj/asj)