Tak tanggung-tanggung, produsen asal Korea Selatan ini berencana mewujudkan pabrikasi 4nm. Bila benar, prosesor yang kelak ada di pasaran bakal menjanjikan performa yang lebih tinggi lain. Namun di sisi lain konsumsi dayanya justru semakin efisien.
Karena semakin kecil pabrikasi, semakin banyak transistor yang bisa ditanam dalam sebuah chip prosesor. Yang mana hal tersebut akan memberi pengaruh signifikan pada performa yang semakin kencang, sementara transistor yang semakin kecil membutuhkan daya yang semakin rendah.
SCROLL TO CONTINUE WITH CONTENT
Sementara ketika pabrikasi 4nm terwujud, selain mengusung proses Lower Power Plus, Samsung kabarnya juga akan menggunakan teknologi pabrikasi generasi selanjutnya yang dinamai Multi Bridge Channel FET.
Seperti dikutip detikINET dari Phone Arena, Senin (29/5/2017), teknologi Multi Bridge Channel FET disebut menjanjikan kelebihan di sisi physical scaling dan performa yang saat ini terbatas di arsitektur FinFET.
Meski rencananya terdengar cukup matang, tetap saja bukan perkara mudah mewujudkan pabrikasi 4nm. Oleh karenanya, demi menekan masalah yang mungkin terjadi selama pengembangannya, Samsung akan selalu melakukan pengecekan di tiap tahap, sampai pabrikasi 4nm terwujud.
(yud/fyk)