Micron Technology dan Nanya Technology Corporation mengatakan telah mulai menggunakan teknologi 42-nanometer (42nm) unruk mengembangkan komponen DRAM. Keduanya bekerjasama untuk mengembangkan perangkat memori DDR3 dengan proses 42nm.
Efek penerapan proses ini adalah produk dengan konsumsi daya yang lebih rendah, kinerja yang lebih baik, kepadatan yang lebih tinggi, dan ukuran die memori yang lebih kecil.
SCROLL TO CONTINUE WITH CONTENT
Seperti dikutip detikINET dari keterangan tertulis yang diterima, Kamis (25/2/2010), dengan menyusutkan teknologi proses, perangkat DDR3 2Gb 42nm yang baru memberikan kinerja memori hingga 1866 megabit per detik. Selain itu, cetakan memori yang kecil dengan kepadatan 2Gb dapat menghasilkan modul hingga kapasitas 16GB.Β
(wsh/wsh)