IBM Kembangkan Memory 100 Kali Kecepatan Flash

Jakarta - IBM dikabarkan telah mengembangkan sebuah teknologi memory yang bisa lebih cepat 100 kali lipat dibandingkan Flash. Bakal jadi pengganti flashdisk?

Teknologi yang dikembangkan adalah PCM (phase change memory). Konon teknologi ini mampu melakukan baca-tulis lebih cepat 100 kali dibandingkan teknologi Flash yang ada saat ini.

Tak hanya itu, teknologi PCM ini juga lebih awet dengan siklus penulisan hingga jutaan kali. Sedangkan Flash saat ini hanya bertahan di angka ribuan.

Teknologi ini berbasis logam campuran (alloy) yang bisa diubah ke berbagai kondisi fisik (fase/phases) dengan semburan listrik. Di masa lalu, teknologi ini belum bisa dikembangkan dengan baik karena cepat mengalami resistensi pada arus listrik. Kelemahan lain PCM di masa lalu adalah kemampuan setiap sel yang hanya bisa menyimpan satu bit data.

Nah, IBM mengklaim sudah berhasil mengatasi kelemahan-kelemahan tersebut. Selain lebih bisa diandalkan, setiap sel PCM kini mampu menyimpan 4 bit data.

Sejauh ini PCM yang dikembangakn IBM masih pada tahap laboratorium. Teknologi ini diperkirakan akan menghadirkan perubahan pada 2016, yaitu saat ia mulai hadir sebagai produk di tingkat pengguna (baik konsumen maupun korporasi).

(wsh/wsh)